なぜp型Siか
　
　ホウ素(B)が添加されたSiを液体ヘリウム温度以下に冷却すると，ホウ素が正孔を捕獲します．捕獲された正孔を解放するために必要なエネルギーは約2meVで，これは超伝導体においてクーパー対を励起して準粒子とするエネルギーとほぼ同じ値です．すなわち，低温にすれば，半導体検出器においても超伝導体検出器と同様のエネルギー分解能を持つ可能性があります．

現在の状況
　
　この原理を用いてドイツのグループが検出器を開発しましたが，十分なエネルギー分解能は得られていません．われわれは，ドイツグループとは異なる方式を用い，p型Si高分解能検出器を開発しようと，その基礎研究をしています．　この方法に関して，特許申請中です．
　最初にこの研究をしたのは，今は東京電力へ行った江谷君．現在は，修士2回生の松永君と修士1回生の中山君が引き継いでいます．松永君のアイディアの成功供給法について，特許申請中．今，このアイディアを実際に実験で試しています．
　松永君が，2003年3月に修士課程を修了し，跡継ぎがいない状況なので，いまは休業中です．
　
研究助成

本研究は，平成10年11年度文部省科学研究費補助金萌芽的研究，平成12年度財団法人村田財団研究助成，平成13年14年度日本学術振興会科学研究費補助金基盤研究(B)(2)一般の助成を頂戴しております．

論文，特許など

　　I.Kanno, F. Yoshihara, T. Etani, S. Kanazawa and K. Shin, “Studies on Low Temperature Radiation Detectors with Superconductor, Mono-semiconductor and Compound Semiconductor”, Ionizing Radiation (in Japanese), 26, 87-94 (2000).

　出願番号　2002-342039 「半導体放射線検出器」，松永大輔，神野郁夫．

　出願番号　2000-292967　｢半導体放射線検出器｣，神野郁夫．